先端電子デバイス工学

概要

現在,パソコンに代表される情報処理機器の高性能化が急激に進み,それを担う電子デバイスの微細化,高性能化の限界,環境負荷が指摘されている。本講義では,半導体デバイス物理の基礎を概説した後,ナノスケールの微細半導体構造の作成手法,評価方法を紹介し,微細化に伴う量子効果を中心に講義する。さらに量子効果を積極的に利用したデバイスなど,次世代電子デバイスに向けた研究について解説する。 この概要はカリキュラム・ポリシーにある「電気・電子工学領域が提供する半導体，電力，情報通信などに関する科目を受講し，これらについて専門知識を得させる」に対応する。 下記Moodleにて資料配布を行う。 詳細についてはMoodle内の情報を熟読すること。 Moodle → コース N → NAKAOKA, TOSHIHIRO 中岡 俊裕 → 「先端電子デバイス工学 (MSEE7150) 2024年度春」 あるいは 「先端電子(2024春)」

目標

先端電子デバイスの理解に必要な知識を得る。この目標はディプロマ・ポリシーにある「電気・電子工学および関連分野において最先端で活躍できる専門知識を身につけるとともに，新技術の開発や新分野の開拓をできる力」に対応する。

授業外の学習

先端電子デバイスに関する予習・復習,レポート作成への準備が必要である。(190分/回)疑問点はmoodleのメッセージにて積極的に質問すること

所要時間: 190分