半導体デバイス工学

概要

発展を続ける半導体技術の中で,化合物半導体は,光デバイス用として中心的な役割を担い,また,電子デバイスでもシリコンCMOS技術では達成困難な数十GHz以上の超高速応用や高耐圧応用で重要な技術である。 本講義では,化合物半導体を主な対象として,半導体に関する物性・基本要素技術・製造技術等について学ぶ。また,化合物半導体を利用した電子・光デバイスの動作原理から,最新の技術動向についても解説する。 この講義では,半導体デバイスに関する基礎知識を前提にして授業を進める。 最終回には,受講者による半導体デバイスに関する学術論文の紹介の場を設ける。 この概要はカリキュラム・ポリシーにある「電気・電子工学領域が提供する半導体，電力，情報通信などに関する科目を受講し，これらについて専門知識を得させる」に対応する。

目標

化合物半導体を中心とする半導体デバイス技術に関して基本から応用にわたる知識を得,また理解することで,半導体に関する先端的な議論で自ら有効な意見を出せるレベルに達すること。 この目標はディプロマ・ポリシーにある「電気・電子工学および関連分野において最先端で活躍できる専門知識を身につけるとともに，新技術の開発や新分野の開拓をできる力」に対応する。

授業外の学習

この講義では予習は特に必要はないが,授業内容について復習するとともに教科書を参照することなどによって理解を深め,次回の授業に参加することが望まれる。またレポート(論文紹介・討論の資料,及び授業外の学習課題)については講義で得た知識を活用し,十分に調査を行って作成すること。 予習・復習等に必要な時間は,毎回2時間程度。

所要時間: 190分